ZXMP10A18KTC
Číslo produktu výrobce:

ZXMP10A18KTC

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZXMP10A18KTC-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 3.8A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Inventář:

29276 Ks Nový Originál Skladem
12905446
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ZXMP10A18KTC Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
150mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
26.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.17W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
ZXMP10

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
ZXMP10A18KTCCT
ZXMP10A18KTCTR
ZXMP10A18KTCDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

IRFU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

diodes

ZXMP10A16KTC

MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3

vishay-siliconix

2N6661-E3

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

vishay-siliconix

IRFZ14L

MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3