Číslo produktu výrobce:
ZXMP3A16N8TA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMP3A16N8TA-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 5.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventář:
530 Ks Nový Originál Skladem
12902840
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
QSP9
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMP3A16N8TA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
40mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1022 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.9W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
ZXMP3A16
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
ZXMP3A16N8TR-NDR
ZXMP3A16N8DKR
ZXMP3A16N8DKRINACTIVE
ZXMP3A16N8CT
ZXMP3A16N8TR
ZXMP3A16N8CT-NDR
ZXMP3A16N8DKR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ZXMP7A17GTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
DMP2023UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
FQP11N40
MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
