EPC2055
Číslo produktu výrobce:

EPC2055

Product Overview

Výrobce:

EPC

Číslo dílu:

EPC2055-DG

Popis:

GANFET N-CH 40V 29A DIE
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 29A (Ta) Surface Mount Die

Inventář:

30138 Ks Nový Originál Skladem
12948556
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

EPC2055 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
EPC
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
eGaN®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
29A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.6mOhm @ 15A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 7mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 5 V
VGS (Max)
+6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1111 pF @ 20 V
Funkce FET
Standard
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Die
Balení / pouzdro
Die
Základní číslo výrobku
EPC20

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
EPC2055
Technické listy
EPC2055
HTML Datový list
EPC2055-DG

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
917-EPC2055TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
vishay-siliconix

IRFBC30ASPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

infineon-technologies

IPP65R190CFD7AAKSA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

infineon-technologies

IPDD60R105CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10

infineon-technologies

IPB65R190CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3