EPC2067
Číslo produktu výrobce:

EPC2067

Product Overview

Výrobce:

EPC

Číslo dílu:

EPC2067-DG

Popis:

TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 69A (Ta) Surface Mount Die

Inventář:

4538 Ks Nový Originál Skladem
12966314
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

EPC2067 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
EPC
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
eGaN®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
69A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.55mOhm @ 37A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 18mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22.3 nC @ 5 V
VGS (Max)
+6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3267 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Die
Balení / pouzdro
Die
Základní číslo výrobku
EPC20

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
1,000
Další jména
917-EPC2067CT
917-EPC2067DKR
917-EPC2067TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NTMTS1D6N10MCTXG

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

vishay-siliconix

SI7840BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI5424DC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

vishay-siliconix

SIR826BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK