EPC2302
Číslo produktu výrobce:

EPC2302

Product Overview

Výrobce:

EPC

Číslo dílu:

EPC2302-DG

Popis:

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 101A (Ta) Surface Mount 7-QFN (3x5)

Inventář:

53615 Ks Nový Originál Skladem
12997915
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

EPC2302 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
EPC
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
eGaN®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
101A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.8mOhm @ 50A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 14mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 5 V
VGS (Max)
+6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
7-QFN (3x5)
Balení / pouzdro
7-PowerWQFN

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
EPC2302
Technické listy
EPC2302
HTML Datový list
EPC2302-DG

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
917-EPC2302DKR
917-EPC2302TR
917-EPC2302CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
2 (1 Year)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
good-ark-semiconductor

GSFH5010

MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,

good-ark-semiconductor

GSFP06120

MOSFET, N-CH, SINGLE, 120A, 65V,

rohm-semi

RSS095N05HZGTB

NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09

rohm-semi

RXH090N03TB1

4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE