FCH041N65F-F085
Číslo produktu výrobce:

FCH041N65F-F085

Product Overview

Výrobce:

Fairchild Semiconductor

Číslo dílu:

FCH041N65F-F085-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247

Inventář:

163 Ks Nový Originál Skladem
12954010
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FCH041N65F-F085 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
76A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
41mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
304 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13566 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
595W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247
Balení / pouzdro
TO-247-3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
32
Další jména
2156-FCH041N65F-F085
ONSFSCFCH041N65F-F085

Klasifikace životního prostředí a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

BTS240AHKSA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

vishay-siliconix

IRLU024PBF

MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA

vishay-siliconix

IRFR9020TRPBF

MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK

vishay-siliconix

SI7107DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8