FDP070AN06A0
Číslo produktu výrobce:

FDP070AN06A0

Product Overview

Výrobce:

Fairchild Semiconductor

Číslo dílu:

FDP070AN06A0-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventář:

767 Ks Nový Originál Skladem
12947455
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDP070AN06A0 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Ta), 80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
175W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
258
Další jména
FAIFSCFDP070AN06A0
2156-FDP070AN06A0

Klasifikace životního prostředí a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikace
Související produkty
fairchild-semiconductor

HUF75631S3ST

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

international-rectifier

IRF7470TRPBF

IRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STL100NH3LL

MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT

nexperia

PSMN5R3-25MLD,115

PSMN5R3-25MLD - N-CHANNEL 25V, L