Číslo produktu výrobce:
FDP39N20
Product Overview
Výrobce:
Fairchild Semiconductor
Číslo dílu:
FDP39N20-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
500 Ks Nový Originál Skladem
12946807
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDP39N20 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
39A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
66mOhm @ 19.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
251W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
189
Další jména
ONSFSCFDP39N20
2156-FDP39N20
Klasifikace životního prostředí a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
