FQPF7N65CYDTU
Číslo produktu výrobce:

FQPF7N65CYDTU

Product Overview

Výrobce:

Fairchild Semiconductor

Číslo dílu:

FQPF7N65CYDTU-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventář:

1572 Ks Nový Originál Skladem
12946671
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FQPF7N65CYDTU Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
52W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3 (Y-Forming)
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
FQPF7N65C Datasheet

Další informace

Standardní balíček
366
Další jména
2156-FQPF7N65CYDTU
FAIFSCFQPF7N65CYDTU

Klasifikace životního prostředí a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FQPF630

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6