Číslo produktu výrobce:
GPIHV7DK
Product Overview
Výrobce:
GaNPower
Číslo dílu:
GPIHV7DK-DG
Popis:
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 7A Surface Mount
Inventář:
467 Ks Nový Originál Skladem
12976582
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
GPIHV7DK Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
GaNPower
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V
vgs(th) (max.) @ id
1.7V @ 3.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 6 V
VGS (Max)
+7.5V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
90 pF @ 700 V
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
4025-GPIHV7DKTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A001
HTSUS
8541.49.7000
DIGI Certifikace
Související produkty
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
TKR74F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
