Číslo produktu výrobce:
G130N06M
Product Overview
Výrobce:
Goford Semiconductor
Číslo dílu:
G130N06M-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Podrobný popis:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventář:
12993058
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
G130N06M Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Goford Semiconductor
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
Funkce FET
Standard
Ztrátový výkon (max.)
85W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,600
Další jména
4822-G130N06MTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
G130N06M
VÝROBCE
Goford Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
780
DiGi ČÍSLO DÍLU
G130N06M-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.32
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
DMTH12H007SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMP3007LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
DMP27M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060