Číslo produktu výrobce:
GSFH9506
Product Overview
Výrobce:
Good-Ark Semiconductor
Číslo dílu:
GSFH9506-DG
Popis:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Podrobný popis:
N-Channel 950 V 5A (Tj) 83W (Tj) Through Hole TO-220-3
Inventář:
1000 Ks Nový Originál Skladem
13229434
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
37mW
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
GSFH9506 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Good Ark Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Balení
Tube
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
950 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
878 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
4786-GSFH9506
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SSFP4960
MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 4
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
C3M0120090J
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7