Číslo produktu výrobce:
AUIRFS3006-7TRL
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
AUIRFS3006-7TRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
12839407
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
AUIRFS3006-7TRL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
240A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.1mOhm @ 168A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8850 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
SP001521716
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPB180N06S4H1ATMA2
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6672
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.78
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPB017N06N3GATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9000
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB017N06N3GATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.54
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF34N20L
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
HUF75343S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FQD4P25TM-WS
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
