Číslo produktu výrobce:
AUIRFSL4010
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
AUIRFSL4010-DG
Popis:
MOSFET N CH 100V 180A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Inventář:
12827470
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
AUIRFSL4010 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
180A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9575 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-262
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP001517516
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDI045N10A-F102
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
475
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDI045N10A-F102-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.84
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STH150N10F7-2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1000
DiGi ČÍSLO DÍLU
STH150N10F7-2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.62
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS84AKW-BX
MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70
PH6030AL,115
MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
BUK9Y1R3-40HX
BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
