Číslo produktu výrobce:
BSB008NE2LXXUMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventář:
12802287
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSB008NE2LXXUMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
343 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 12 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Balení / pouzdro
3-WDSON
Základní číslo výrobku
BSB008
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-BSB008NE2LXXUMA1CT
448-BSB008NE2LXXUMA1TR
SP000880866
448-BSB008NE2LXXUMA1DKR
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF6717MTRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8674
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF6717MTRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPW60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
BSS119 E7978
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
