Číslo produktu výrobce:
BSC018NE2LSATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSC018NE2LSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventář:
11357 Ks Nový Originál Skladem
12798548
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSC018NE2LSATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 12 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-1
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSC018
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
SP000756336
BSC018NE2LSCT-DG
BSC018NE2LS-DG
BSC018NE2LSATMA1DKR
BSC018NE2LSATMA1TR
BSC018NE2LSTR-DG
BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSDKR-DG
BSC018NE2LSATMA1CT
BSC018NE2LS
BSC018NE2LSDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
AUIRF3007
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
