Číslo produktu výrobce:
BSC030N04NSGATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSC030N04NSGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventář:
44915 Ks Nový Originál Skladem
12799552
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSC030N04NSGATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 49µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-1
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSC030
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
BSC030N04NS GCT-DG
BSC030N04NSGATMA1DKR
SP000354811
BSC030N04NS GDKR
BSC030N04NS G
BSC030N04NS GCT
BSC030N04NSGATMA1TR
BSC030N04NSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC030N04NSG
BSC030N04NS GTR
BSC030N04NS GTR-DG
BSC030N04NSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC030N04NSGATMA1CT
BSC030N04NS G-DG
BSC030N04NS GDKR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS215PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
IPA093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
