Číslo produktu výrobce:
BSC065N06LS5ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSC065N06LS5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 64A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventář:
13787 Ks Nový Originál Skladem
12798418
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSC065N06LS5ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
64A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.5mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 20µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
46W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-6
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSC065
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-BSC065N06LS5ATMA1TR
SP001385614
448-BSC065N06LS5ATMA1CT
448-BSC065N06LS5ATMA1DKR
BSC065N06LS5ATMA1-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AUIRFU8405
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
BSS209PW
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
AUIRFB8409
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
