Číslo produktu výrobce:
BSC070N10NS3GATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSC070N10NS3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventář:
10181 Ks Nový Originál Skladem
12798887
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
hx58
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSC070N10NS3GATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 75µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
114W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-1
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSC070
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
BSC070N10NS3 GDKR
BSC070N10NS3GATMA1CT
BSC070N10NS3 G-DG
SP000778082
BSC070N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC070N10NS3GATMA1DKR
BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-DG
BSC070N10NS3GATMA1TR
BSC070N10NS3 G
BSC070N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC070N10NS3G
BSC070N10NS3GXT
BSC070N10NS3 GTR-DG
BSC070N10NS3 GDKR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSC026NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
AUIRF7669L2TR
MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
BSP296L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4