BSC0924NDIATMA1
Číslo produktu výrobce:

BSC0924NDIATMA1

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

BSC0924NDIATMA1-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8

Inventář:

77134 Ks Nový Originál Skladem
12799624
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
pSTf
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

BSC0924NDIATMA1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A, 32A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 15V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Balíček zařízení dodavatele
PG-TISON-8
Základní číslo výrobku
BSC0924

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
5,000
Další jména
448-BSC0924NDIATMA1CT
BSC0924NDIATMA1-DG
SP000934750
448-BSC0924NDIATMA1DKR
448-BSC0924NDIATMA1TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

BSC0993NDATMA1

MOSFET 2N-CH 17A TISON8

infineon-technologies

BSO4804

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

infineon-technologies

BSD223PH6327XTSA1

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

infineon-technologies

FF6MR12W2M1B11BOMA1

SIC 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2