Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
BSC0924NDIATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSC0924NDIATMA1-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Inventář:
77134 Ks Nový Originál Skladem
12799624
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
p
S
T
f
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSC0924NDIATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A, 32A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 15V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Balíček zařízení dodavatele
PG-TISON-8
Základní číslo výrobku
BSC0924
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
BSC0924NDI
Technické listy
BSC0924NDIATMA1
HTML Datový list
BSC0924NDIATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-BSC0924NDIATMA1CT
BSC0924NDIATMA1-DG
SP000934750
448-BSC0924NDIATMA1DKR
448-BSC0924NDIATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8
BSO4804
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
BSD223PH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
FF6MR12W2M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2