Číslo produktu výrobce:
BSC160N15NS5ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSC160N15NS5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 56A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventář:
12249 Ks Nový Originál Skladem
12799935
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSC160N15NS5ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
56A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
8V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 60µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 75 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
96W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-7
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSC160
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
BSC160N15NS5ATMA1CT
BSC160N15NS5ATMA1-DG
BSC160N15NS5ATMA1TR
BSC160N15NS5ATMA1DKR
2832-BSC160N15NS5ATMA1-448
SP001181422
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IAUT300N10S5N015ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPI120N10S403AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK