Číslo produktu výrobce:
BSD223P
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSD223P-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventář:
12845025
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSD223P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
390mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1.5µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.62nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
56pF @ 15V
Výkon - Max
250mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT363-PO
Základní číslo výrobku
BSD223
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
BSD223PXTINTR-DG
BSD223PINCT
BSD223PINDKR
BSD223PXTINCT
BSD223PXTINCT-DG
BSD223PINTR
BSD223PXT
BSD223PINTR-NDR
BSD223PINCT-NDR
BSD223PXTINTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMP2004DWK-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2954
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMP2004DWK-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.10
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
AON5820_101
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
AON6980
MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
AO8810#A
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
