Číslo produktu výrobce:
BSD840NH6327XTSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSD840NH6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventář:
54248 Ks Nový Originál Skladem
13063912
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSD840NH6327XTSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
880mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 880mA, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
750mV @ 1.6µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.26nC @ 2.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 10V
Výkon - Max
500mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT363-PO
Základní číslo výrobku
BSD840
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
BSD840N H6327CT
BSD840NH6327
BSD840N H6327TR-ND
BSD840N H6327CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR
BSD840NH6327XTSA1CT
BSD840N H6327DKR
SP000917654
BSD840N H6327-ND
BSD840NH6327XT
BSD840N H6327DKR-ND
BSD840N H6327
BSD840NH6327XTSA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSO204PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IPG20N06S415ATMA2
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON