Číslo produktu výrobce:
BSP125H6433XTMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSP125H6433XTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventář:
4900 Ks Nový Originál Skladem
12861660
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
u3hk
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSP125H6433XTMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SIPMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 94µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223-4
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
BSP125
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
SP001058578
BSP125H6433XTMA1DKR
BSP125H6433XTMA1TR
BSP125H6433XTMA1CT
2156-BSP125H6433XTMA1
BSP125H6433XTMA1-DG
INFINFBSP125H6433XTMA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RJK0353DPA-WS#J0B
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
NP110N055PUJ-E1B-AY
TRANSISTOR
H7N1002LSTL-E
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
