Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
BSP149L6906HTSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSP149L6906HTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventář:
Poptejte online
12834049
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSP149L6906HTSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
660mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
0V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 400µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
Funkce FET
Depletion Mode
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223-4-21
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
BSP149
Technické listy
BSP149L6906HTSA1
HTML Datový list
BSP149L6906HTSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
INFINFBSP149L6906HTSA1
SP000089215
BSP149 L6906-DG
BSP149L6906XT
BSP149L6906HTSA1TR
2156-BSP149L6906HTSA1-ITTR
BSP149 L6906
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BSP149H6906XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
55
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSP149H6906XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.05
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
BSP149H6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
25184
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSP149H6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.48
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS123LT1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
2SK4066-DL-E
MOSFET N-CH 60V 100A SMP-FD
5HN01SS-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3