Číslo produktu výrobce:
BSP372NH6327XTSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSP372NH6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventář:
15063 Ks Nový Originál Skladem
12802844
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSP372NH6327XTSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
230mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 218µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
329 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223-4
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
BSP372
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP001059326
BSP372NH6327XTSA1CT
BSP372NH6327XTSA1TR
BSP372NH6327XTSA1DKR
BSP372NH6327XTSA1-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR120ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IPP60R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IRFZ48NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
