Číslo produktu výrobce:
BSS123IXTMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSS123IXTMA1-DG
Popis:
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Inventář:
12985211
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSS123IXTMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 13µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.63 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT23-3-5
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
BSS123
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
448-BSS123IXTMA1TR
448-BSS123IXTMA1CT
SP005558639
448-BSS123IXTMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BSS123IXTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7750
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSS123IXTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
G15N10C
N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
SCT4062KRHRC15
1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
