Číslo produktu výrobce:
BSS606NH6327XTSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSS606NH6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventář:
24113 Ks Nový Originál Skladem
12802509
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
nWRr
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSS606NH6327XTSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 15µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
657 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT89
Balení / pouzdro
TO-243AA
Základní číslo výrobku
BSS606
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP000691152
BSS606NH6327XTSA1TR
BSS606NH6327XTSA1DKR
INFINFBSS606NH6327XTSA1
BSS606NH6327XTSA1-DG
BSS606NH6327XTSA1CT
2156-BSS606NH6327XTSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
BSC037N025S G
MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
IPP100N04S303AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
