BSS606NH6327XTSA1
Číslo produktu výrobce:

BSS606NH6327XTSA1

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

BSS606NH6327XTSA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89

Inventář:

24113 Ks Nový Originál Skladem
12802509
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
H7kH
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

BSS606NH6327XTSA1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
60mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 15µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
657 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT89
Balení / pouzdro
TO-243AA
Základní číslo výrobku
BSS606

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
1,000
Další jména
SP000691152
BSS606NH6327XTSA1TR
BSS606NH6327XTSA1DKR
INFINFBSS606NH6327XTSA1
BSS606NH6327XTSA1-DG
BSS606NH6327XTSA1CT
2156-BSS606NH6327XTSA1

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

IPB019N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

infineon-technologies

BSC037N025S G

MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON

infineon-technologies

IPP100N04S303AKSA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

infineon-technologies

AUIRLZ44Z

MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB