Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
BSS83PL6327HTSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSS83PL6327HTSA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventář:
Poptejte online
12841958
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSS83PL6327HTSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
330mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 80µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
78 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
360mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT23
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
BSS83
Technický list a dokumenty
Technické listy
BSS83PL6327HTSA1
HTML Datový list
BSS83PL6327HTSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
BSS83PL6327TR
BSS83PL6327HTSA1TR
Q3291502
BSS83PL6327CT_ND
BSS83PL6327DKR
BSS83PL6327XT
SP000247311
BSS83P L6327
BSS83PL6327HTSA1DKR
BSS83P L6327-DG
BSS83PL6327-DG
BSS83PL6327DKR-DG
BSS83PL6327HTSA1CT
BSS83PL6327INACTIVE
-BSS83PL6327
BSS83PL6327TR-DG
BSS83P L6327INACTIVE-DG
BSS83PL6327CT-DG
BSS83PL6327
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BSS83PH6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
107633
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSS83PH6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.08
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
SCH1434-TL-H
MOSFET N-CH 30V 2A 6SCH
SFT1443-TL-H
MOSFET N-CH 100V 9A DPAK/TP-FA
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1