Číslo produktu výrobce:
BSZ0901NSIATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSZ0901NSIATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventář:
5318 Ks Nový Originál Skladem
12800555
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSZ0901NSIATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Ta), 40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Ztrátový výkon (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TSDSON-8-FL
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSZ0901
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
BSZ0901NSIDKR-DG
SP000853566
BSZ0901NSIATMA1CT
BSZ0901NSICT
BSZ0901NSI
BSZ0901NSIATMA1TR
BSZ0901NSITR
BSZ0901NSIDKR
BSZ0901NSIATMA1DKR
BSZ0901NSICT-DG
BSZ0901NSITR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IPB65R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
