Číslo produktu výrobce:
IAUC60N04S6N050HATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IAUC60N04S6N050HATMA1-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 60A (Tj) 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-57
Inventář:
4533 Ks Nový Originál Skladem
12948855
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
F6DI
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IAUC60N04S6N050HATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Tj)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 13µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1027pF @ 25V
Výkon - Max
52W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-57
Základní číslo výrobku
IAUC60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-IAUC60N04S6N050HATMA1DKR
SP003863384
448-IAUC60N04S6N050HATMA1TR
448-IAUC60N04S6N050HATMA1CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IAUC60N04S6L030HATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
UT6JB5TCR
MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
UT6JC5TCR
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8
