Číslo produktu výrobce:
IMBF170R650M1XTMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IMBF170R650M1XTMA1-DG
Popis:
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Podrobný popis:
N-Channel 1700 V 7.4A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13
Inventář:
1478 Ks Nový Originál Skladem
12937643
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IMBF170R650M1XTMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolSiC™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1700 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
12V, 15V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
650mOhm @ 1.5A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 1.7mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 12 V
VGS (Max)
+20V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
422 pF @ 1000 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
88W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-7-13
Balení / pouzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Základní číslo výrobku
IMBF170
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
448-IMBF170R650M1XTMA1CT
448-IMBF170R650M1XTMA1TR
448-IMBF170R650M1XTMA1DKR
SP002739686
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MTB60N10E7L
N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA1725G-E1-A
N-CHANNEL POWER MOSFET
RJL5013DPP-00#T2
N-CHANNEL POWER MOSFET
