Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPA60R125CPXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPA60R125CPXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventář:
Poptejte online
12800339
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPA60R125CPXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
125mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1.1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPA60R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPA60R125CP
Technické listy
IPA60R125CPXKSA1
HTML Datový list
IPA60R125CPXKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
2156-IPA60R125CPXKSA1
ROCINFIPA60R125CPXKSA1
IPA60R125CP-DG
SP000095275
IPA60R125CP
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STF57N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF57N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.70
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
R6030ENX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6030ENX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.69
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP33N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
727
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP33N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.08
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF31N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1115
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF31N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.92
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF33N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
962
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF33N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.73
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP120N06S4H1AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IPB80N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPF09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3