Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPA60R600P6XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPA60R600P6XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4.9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventář:
Poptejte online
12799912
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPA60R600P6XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 200µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
557 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
28W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPA60R600
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPA60R600P6
Technické listy
IPA60R600P6XKSA1
HTML Datový list
IPA60R600P6XKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-IPA60R600P6XKSA1
INFINFIPA60R600P6XKSA1
IPA60R600P6-DG
SP001017070
IPA60R600P6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STF11N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF11N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.83
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF24N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1112
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF24N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.25
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
R6007KNX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6007KNX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.02
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF11N60DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2966
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF11N60DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.70
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PJMF580N60E1_T0_00001
VÝROBCE
Panjit International Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1966
DiGi ČÍSLO DÍLU
PJMF580N60E1_T0_00001-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.58
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB50CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
IPA80R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3