Číslo produktu výrobce:
IPA65R065C7XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPA65R065C7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventář:
395 Ks Nový Originál Skladem
12803901
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPA65R065C7XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ C7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 850µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
34W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPA65R065
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
2156-IPA65R065C7XKSA1
SP001080114
INFINFIPA65R065C7XKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF3808STRRPBF
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
IRF7807
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRFU4105ZPBF
MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
