Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPA65R280E6XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPA65R280E6XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventář:
500 Ks Nový Originál Skladem
12799800
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPA65R280E6XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 440µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
32W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPA65R280
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPx65R280E6
Technické listy
IPA65R280E6XKSA1
HTML Datový list
IPA65R280E6XKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-IPA65R280E6XKSA1
ROCINFIPA65R280E6XKSA1
SP000795276
IPA65R280E6
IPA65R280E6-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK290A65Y,S4X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK290A65Y,S4X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.73
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF15N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
481
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF15N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.98
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
AOTF15S65L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
830
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOTF15S65L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.18
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF16N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1639
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF16N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.36
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPA50R950CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220
BSC050N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4