Číslo produktu výrobce:
IPA80R650CEXKSA2
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPA80R650CEXKSA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Inventář:
459 Ks Nový Originál Skladem
12804965
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPA80R650CEXKSA2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 470µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
33W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3F
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPA80R650
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF630NS
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
