Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPAW60R280P7SXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPAW60R280P7SXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventář:
Poptejte online
12804564
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPAW60R280P7SXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 190µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
761 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
24W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPAW60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPAW60R280P7
Technické listy
IPAW60R280P7SXKSA1
HTML Datový list
IPAW60R280P7SXKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
45
Další jména
IFEINFIPAW60R280P7SXKSA1
2156-IPAW60R280P7SXKSA1
SP001658180
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPA60R280P7SE8228XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPA60R280P7SE8228XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.72
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IPA60R280P7SXKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
841
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPA60R280P7SXKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.50
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
STF18N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
231
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF18N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.92
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPAW60R280P7SE8228XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPAW60R280P7SE8228XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.73
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
STP20NM60FP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
518
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP20NM60FP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.36
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPW60R075CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
IRFR12N25DPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
IRFS7534TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK