Číslo produktu výrobce:
IPB016N08NF2SATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB016N08NF2SATMA1-DG
Popis:
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 170A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
960 Ks Nový Originál Skladem
12996897
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB016N08NF2SATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
StrongIRFET™ 2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
170A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.65mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 267µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB016N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
448-IPB016N08NF2SATMA1DKR
SP005571685
448-IPB016N08NF2SATMA1TR
448-IPB016N08NF2SATMA1CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STHU36N60DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
MCG35P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
BUK752R3-40E,127
NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
