Číslo produktu výrobce:
IPB020NE7N3GATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB020NE7N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
6904 Ks Nový Originál Skladem
12801084
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
CPU6
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB020NE7N3GATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™ 3
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 273µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB020
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB020NE7N3 GCT-DG
SP000676950
IPB020NE7N3GATMA1CT
IPB020NE7N3 G-DG
IPB020NE7N3 GTR-DG
IPB020NE7N3GATMA1DKR
IPB020NE7N3 GCT
2156-IPB020NE7N3GATMA1
IPB020NE7N3 GDKR
IPB020NE7N3 GDKR-DG
IPB020NE7N3 G
IPB020NE7N3GATMA1TR
IFEINFIPB020NE7N3GATMA1
IPB020NE7N3G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPC302N08N3X2SA1
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER
IPB65R110CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
IPA65R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V TO220
