Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPB034N06N3GATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB034N06N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventář:
Poptejte online
12800491
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
t
p
w
O
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB034N06N3GATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 93µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
167W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-7
Balení / pouzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Základní číslo výrobku
IPB034N
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB034N06N3 GDKR-DG
IPB034N06N3 GTR
IPB034N06N3 GDKR
SP000397990
IPB034N06N3 G
IPB034N06N3GATMA1TR
IPB034N06N3GATMA1DKR
IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3G
IPB034N06N3GATMA1CT
IPB034N06N3 GTR-DG
IPB034N06N3 GCT-DG
IPB034N06N3 G-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPB034N06N3GATMA2
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB034N06N3GATMA2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.57
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IPB017N06N3GATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9000
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB017N06N3GATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.54
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD30N06S2L13ATMA4
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3