Číslo produktu výrobce:
IPB048N15N5ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB048N15N5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
1607 Ks Nový Originál Skladem
12800798
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
hvC1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB048N15N5ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
8V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 264µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 75 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB048
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB048N15N5ATMA1DKR
IPB048N15N5ATMA1CT
IPB048N15N5ATMA1TR
IPB048N15N5ATMA1-DG
SP001279596
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB160N04S3H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPD14N06S280ATMA1
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
IPB100N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3