Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPB04N03LAT
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB04N03LAT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
500 Ks Nový Originál Skladem
12800966
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB04N03LAT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Cut Tape (CT)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.9mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 60µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3877 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB04N
Technický list a dokumenty
Technické listy
IPB04N03LAT
HTML Datový list
IPB04N03LAT-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB04N03LAXTINCT
IPB04N03LAXTINTR
IPB04N03LAXTINDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRL3803STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2825
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRL3803STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.95
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB80NF03L-04T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
691
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB80NF03L-04T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.90
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PSMN4R3-30BL,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9945
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN4R3-30BL,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.58
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PSMN017-30BL,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1868
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN017-30BL,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.37
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB052N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
IPP06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPB60R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK
IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK