Číslo produktu výrobce:
IPB144N12N3GATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB144N12N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
2576 Ks Nový Originál Skladem
12801399
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB144N12N3GATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
120 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
56A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14.4mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 61µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 60 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB144
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP000694166
IPB144N12N3 GDKR-DG
IPB144N12N3 GCT-DG
IPB144N12N3 G
IPB144N12N3G
IPB144N12N3GATMA1CT
IPB144N12N3 G-DG
IPB144N12N3GATMA1TR
IPB144N12N3 GTR-DG
IPB144N12N3 GCT
IPB144N12N3 GDKR
IPB144N12N3GATMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
