Číslo produktu výrobce:
IPB180P04P4L02ATMA2
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB180P04P4L02ATMA2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventář:
4559 Ks Nový Originál Skladem
12927716
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB180P04P4L02ATMA2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS®-P2
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
180A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 410µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
286 nC @ 10 V
VGS (Max)
+5V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
18700 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-7-3
Balení / pouzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Základní číslo výrobku
IPB180
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR
448-IPB180P04P4L02ATMA2TR
SP002319828
448-IPB180P04P4L02ATMA2CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
JAN2N6764
MOSFET N-CH 100V 38A TO204AE
FDS8817NZ
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC