Číslo produktu výrobce:
IPB60R180P7ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB60R180P7ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
2501 Ks Nový Originál Skladem
13064002
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB60R180P7ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ P7
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 280µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
72W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB60R180
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB60R180P7ATMA1-ND
IPB60R180P7ATMA1CT
SP001664934
IPB60R180P7ATMA1DKR
IPB60R180P7ATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
IPB16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
