Číslo produktu výrobce:
IPB60R330P6ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB60R330P6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
12805083
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
cWZG
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB60R330P6ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
330mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 370µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
93W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB60R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP001364470
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB15N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
963
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB15N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.44
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPB60R360P7ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5559
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R360P7ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.66
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
IRFS3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK