Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPB60R330P6ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB60R330P6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
Poptejte online
12805083
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
j
S
O
Z
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB60R330P6ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
330mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 370µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
93W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB60R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPx60R330P6
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SP001364470
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB15N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
963
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB15N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.44
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPB60R360P7ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5559
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R360P7ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.66
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
IRFS3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPB100N04S204ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3