IPB70N10S3L12ATMA2
Číslo produktu výrobce:

IPB70N10S3L12ATMA2

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

IPB70N10S3L12ATMA2-DG

Popis:

MOSFET_(75V 120V(
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventář:

13269513
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
dv6v
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IPB70N10S3L12ATMA2 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 83µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5570 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Další informace

Standardní balíček
1,000
Další jména
SP005549661
448-IPB70N10S3L12ATMA2TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

IMW65R007M2HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IPP034N08N5XKSA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IAUCN04S7L019ATMA1

MOSFET_(20V 40V)