Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPB80N04S303ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB80N04S303ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
Poptejte online
12804874
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB80N04S303ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 120µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
188W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB80N
Technický list a dokumenty
Technické listy
IPB80N04S303ATMA1
HTML Datový list
IPB80N04S303ATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB80N04S303ATMA1CT
2156-IPB80N04S303ATMA1TR
IPB80N04S3-03DKR
IPB80N04S303ATMA1DKR
SP000260848
IPB80N04S303
IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S303ATMA1TR
IPB80N04S3-03
IPB80N04S3-03TR-DG
IPB80N04S3-03TR
IPB80N04S3-03-DG
IPB80N04S3-03DKR-DG
IPB80N04S3-03CT-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB170NF04
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
488
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB170NF04-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.27
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPB80N04S403ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
911
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB80N04S403ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.01
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB120N4F6
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
944
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB120N4F6-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.93
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
AOB240L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4559
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOB240L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.77
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRFR3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
IPB65R280E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3