Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPB80N06S208ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB80N06S208ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
Poptejte online
12803564
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB80N06S208ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.7mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
215W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB80N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPx80N06S2-08
Technické listy
IPB80N06S208ATMA1
HTML Datový list
IPB80N06S208ATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IPB80N06S2-08
INFINFIPB80N06S208ATMA1
IPB80N06S2-08-DG
IPB80N06S208ATMA1TR
2156-IPB80N06S208ATMA1
SP000218830
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB150NF55T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
969
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB150NF55T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.68
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB85NF55T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
998
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB85NF55T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.22
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PSMN7R6-60BS,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7953
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN7R6-60BS,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.65
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB140NF55T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
989
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB140NF55T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.53
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFZ44VZ
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
IRFR9N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
IPL65R230C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
IRF1405ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB